technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 1 features: lichtgezndeter netz thyristor phase control thyristor, light triggered mit integriertem. berspannungsschutz with integrated overvoltage protection volle sperrf?higkeit bei 120 mit 50 hz full blocking capability at 120c with 50 hz hoher sto?strom mit hohem di/dt high surge current with high di/dt and low und niedriger w?rmewiderstand durch thermal resistance by using low temperature- ntv-verbindung zwischen silizium connection ntv between silicon wafer und mo-tr?gerscheibe. and molybdenum elektroaktive passivierung durch a - c:h electroactive passivation by a - c:h elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische rckw?rts-spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage f = 50 hz v rrm t v j min = -40c t v j min = 0c 7500 7700 8000 8200 v v durchla?strom-grenzeffektivwert rms forward current i trmsm 5600 a dauergrenzstrom mean forward current t c = 85c, f = 50hz t c = 60c, f = 50hz i tavm 2560 3570 a a sto?strom-grenzwert surge forward current t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i tsm 63 56 ka ka grenzlastintegral i 2 t-value t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i 2 t 19,8 10 6 15,7 10 6 a 2 s a 2 s kritische stromsteilheit, periodisch critical rate of rise of on-state current, periodical din iec 747-6 v d v bo , f = 50hz, p l = 40mw, t rise = 0,5s (di/dt) cr 300 a/s kritische stromsteilheit, nicht-periodisch critical rate of rise of on-state current, non-periodical din iec 747-6 v d v bo , p l = 40mw, t rise = 0,5s (di/dt) cr 1000 a/s kritische spannungssteilheit critical rate of rise of forward voltage t vj = t vj max , v dm = 5kv (dv/dt) cr 2000 v/s
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 2 elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values schutzndspannung (statisch) protective break over voltage t vj = 0c ... t vj max v bo min. 7500 v durchla?spannung on-state voltage t vj = t vj max , i t = 6ka v t typ. 2,75 max. 2,95 v schleusenspannung / threshold voltage ersatzwiderstand / slope resistance t vj = t vj max v to r t typ. max. 1,23 1,28 0,253 0,278 v m ? durchla?rechenkennlinie on-state characteristics for calculations 500 a i t 6000 a () vabici di ttt t =+?+? ++? ln 1 t vj = t vj max a b c d typ. max. -0,00607 -0,00503 0,000181 0,000187 0,162 0,160 0,00342 0,00570 erforderliche zndlichtleistung required gate trigger light power t vj = 25c, v d = 100v p lm min. 40 mw haltestrom holding current t vj = 25c i h 100 ma einraststrom latching current t vj = 25c, v d = 100v, p lm = 40mw, t an = 0,5s i l 1a vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom forward off-state and reverse currents t vj = t vj max v d = v r = 7500v i d , i r 900 ma zndverzug gate controlled delay time t vj = 25c, v d = 1000v, p lm = 40mw, t an = 0,5s t gd typ. 5s freiwerdezeit circuit commutated turn-off time t vj = t vj max , i tm = i tavm v rm = 100v, v dm = 0,67 ? v drm dv d /dt = 20v/s, -di t /dt = 10a/s 4. kennbuchstabe / 4 th letter o t q typ. 550 s sperrverz?gerungsladung recovered charge t vj = t vj max i tm = 2,5 ka, di/dt = 10a/s v r = 0,5 ? v rrm , v rm = 0,8 ? v rrm q r 22 mas rckstromspitze peak reverse recovery current t vj = t vj max i tm = 2,5 ka, di/dt = 10a/s v r = 0,5 ? v rrm , v rm = 0,8 ? v rrm i rm 400 a
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 3 thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , dc anode / anode dc kathode / cathode dc r thjc 0,0046 0,0043 0,0075 0,01 c/w c/w c/w c/w bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided einseitig / single-sided r thck 0,001 0,002 c/w c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur max. junction temperature t vj max +120 c betriebstemperatur operating temperature t c op -40...+120 c lagertemperatur storage temperature t stg -40...+150 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix seite 4 si-element mit druckkontakt, lichtzndung si-pellet with pressure contact, ligt triggered silizium tablette silicon wafer 119ltn80 anpre?kraft clampig force f 90...130 kn gewicht weight g typ. 4000 g kriechstrecke creepage distance 49 mm feuchteklasse humidity classification din 40040 c schwingfestigkeit vibration resistance f = 50hz 50 m/s 2 mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbidung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes.
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 4 ma?bild / outline
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 5 durchla?kennlinien i t = f ( v t ) limiting and typical on-state characteristic t vj = 120 c 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 6000 6500 0123 v t [v] i t (a) typ max
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 6 transienter innerer w?rmewiderstand transient thermal impedance z (th)jc = f (t) doppelseitige khlung anodenseitige khlung kathodenseitige khlung r [k/w] [s] r [k/w] [s] r [k/w] [s] 1 0,00183 1,9 0,00465 7,5 0,00715 10,2 2 0,00132 0,3 0,00052 0,85 0,00052 0,85 3 0,00075 0,065 0,00157 0,225 0,00157 0,225 4 0,00038 0,011 0,00054 0,029 0,00054 0,029 5 0,00002 0,003 0,00022 0,0075 0,00022 0,0075 0,0043 - 0,0075 - 0,01 - 0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t / [sec.] z (th) jc / [k/w] d a ( ) ? ? ? = n t n th jc th n e r t z / 1 ) (
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 7 sperrverz?gerungsladung q r = f ( - di/dt ) recovered charge nebenbedingungen: t vj = 120 c, i tm = 2500a, v r = 0,5 ? v rrm , v rm = 0,8 ? v rrm 9 8 7 6 50 40 30 20 10 5 4 3 2 30 20 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 d i/d t [a / s ] q rr [m a s ]
technische information / technical information lichtgezndeter netz thyristor mit integriertem. berspannung sschutz phase control thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection t 2563 n 75...80 toh bip ac / sm pb, 2001-10-18, przybilla j. / keller release 6.2 seite/page n 8 rckstromspitze / reverse recovery current (typische abh?ngigkeit / typical dependence) i rm = f ( - di/dt) t vj = 120 c, i tm = 2500a, v r = 0,5 ? v rrm , v rm = 0,8 ? v rrm 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 012345678910111213141516171819202122 d i / d t [a / s] i rm [ a ]
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